NTD12N10-1G
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- 制造商编号：
- NTD12N10-1G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.105537 | ￥3.11 |
| 10 | ￥2.294808 | ￥22.95 |
| 30 | ￥2.145872 | ￥64.38 |
| 100 | ￥1.996935 | ￥199.69 |
| 500 | ￥1.930723 | ￥965.36 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTD12N10-1G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
165mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
550pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
NTD12N10-1G 同类别型号
注
NTD12N10-1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NTD12N10-1G
数据手册PDF。
NTD12N10-1G
型号：NTD12N10-1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.105537 |
| 10+： | ￥2.294808 |
| 30+： | ￥2.145872 |
| 100+： | ￥1.996935 |
| 500+： | ￥1.930723 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.11