SI5499DC-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI5499DC-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.816819 | ￥4.82 |
| 10 | ￥3.725951 | ￥37.26 |
| 25 | ￥3.422775 | ￥85.57 |
| 100 | ￥3.085597 | ￥308.56 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI5499DC-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
36mOhm @ 5.1A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
35nC @ 8V
Vgs（最大值）
±5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1290pF @ 4V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
封装/外壳
8-SMD, Flat Lead
SI5499DC-T1-GE3 同类别型号
注
SI5499DC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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SI5499DC-T1-GE3
型号：SI5499DC-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.816819 |
| 10+： | ￥3.725951 |
| 25+： | ￥3.422775 |
| 100+： | ￥3.085597 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.82