FDC6561AN
库存 ：8441
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.533263 | ￥14.53 |
| 10 | ￥9.041219 | ￥90.41 |
| 100 | ￥5.882148 | ￥588.21 |
| 500 | ￥4.52367 | ￥2261.84 |
| 1000 | ￥4.085683 | ￥4085.68 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDC6561AN_NL
单位重量 36 mg
FDC6561AN 同类别型号
注
FDC6561AN品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDC6561AN
数据手册PDF。
FDC6561AN
型号：FDC6561AN
品牌：ON
供货：锐单
库存：8441 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.533263 |
| 10+： | ￥9.041219 |
| 100+： | ￥5.882148 |
| 500+： | ￥4.52367 |
| 1000+： | ￥4.085683 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.53