
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.010483 | ¥9.01 |
| 10 | ¥7.672161 | ¥76.72 |
| 100 | ¥5.726957 | ¥572.70 |
| 500 | ¥4.499411 | ¥2249.71 |
| 1000 | ¥3.476986 | ¥3476.99 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 1.6 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
购物车
0RTQ020N05HZGTR
型号:RTQ020N05HZGTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.010483 |
| 10+: | ¥7.672161 |
| 100+: | ¥5.726957 |
| 500+: | ¥4.499411 |
| 1000+: | ¥3.476986 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.01