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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 225 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 -
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 1.6 S
高度 0.7 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 6.600 mg
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0SSM3J117TU,LF
型号:SSM3J117TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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