
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.288364 | ¥26.29 |
| 10 | ¥21.816485 | ¥218.16 |
| 100 | ¥17.358893 | ¥1735.89 |
| 500 | ¥14.688052 | ¥7344.03 |
| 1000 | ¥12.462686 | ¥12462.69 |
| 2000 | ¥11.83948 | ¥23678.96 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 20 mOhms, 20 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 18 ns
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N10S4L-22A SP001091984
单位重量 100.390 mg
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0IPG20N10S4L22AATMA1
型号:IPG20N10S4L22AATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.288364 |
| 10+: | ¥21.816485 |
| 100+: | ¥17.358893 |
| 500+: | ¥14.688052 |
| 1000+: | ¥12.462686 |
| 2000+: | ¥11.83948 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.29