货期:(7~10天)
起订量:1
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥22.927722 | ¥22.93 |
10 | ¥19.027518 | ¥190.28 |
100 | ¥15.139774 | ¥1513.98 |
500 | ¥12.810367 | ¥6405.18 |
1000 | ¥10.869486 | ¥10869.49 |
2000 | ¥10.32595 | ¥20651.90 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 20 mOhms, 20 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 18 ns
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N10S4L-22A SP001091984
单位重量 100.390 mg
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0IPG20N10S4L22AATMA1
型号:IPG20N10S4L22AATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.927722 |
10+: | ¥19.027518 |
100+: | ¥15.139774 |
500+: | ¥12.810367 |
1000+: | ¥10.869486 |
2000+: | ¥10.32595 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.93