SQJ963EP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ963EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥4.356917 | ￥13070.75 |
| 6000 | ￥4.041199 | ￥24247.19 |
| 15000 | ￥3.88334 | ￥58250.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 67 mOhms, 67 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 8 ns
正向跨导（Min） 10 S, 10 S
上升时间 13 ns, 13 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns, 36 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ963EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ963EP-T1_GE3
型号：SQJ963EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥4.356917 |
| 6000+： | ￥4.041199 |
| 15000+： | ￥3.88334 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00