SISS98DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISS98DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：12476
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.397024 | ￥24.40 |
| 10 | ￥15.426194 | ￥154.26 |
| 100 | ￥10.296758 | ￥1029.68 |
| 500 | ￥8.097994 | ￥4049.00 |
| 1000 | ￥7.390631 | ￥7390.63 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 ThunderFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 14.1 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 18.2 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 16.5 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISS98DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISS98DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISS98DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISS98DN-T1-GE3
型号：SISS98DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12476 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.397024 |
| 10+： | ￥15.426194 |
| 100+： | ￥10.296758 |
| 500+： | ￥8.097994 |
| 1000+： | ￥7.390631 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.40