货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.46299 | ¥4388.97 |
6000 | ¥1.415797 | ¥8494.78 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 29 mOhms, 41 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 15 nC, 26 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 15 ns
正向跨导(Min) 21 S, 12 S
上升时间 10 ns, 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 32 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 22 ns
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 28 mg
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0SIA527DJ-T1-GE3
型号:SIA527DJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.46299 |
6000+: | ¥1.415797 |
货期:1-2天
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