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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 88 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅极电荷 10.6 nC
耗散功率 2.1 W
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 250 mg
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0NVF3055-100T1G
型号:NVF3055-100T1G
品牌:ON
供货:锐单
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货期:1-2天
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