货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.646077 | ¥19.65 |
10 | ¥17.68147 | ¥176.81 |
25 | ¥16.680632 | ¥417.02 |
100 | ¥13.010893 | ¥1301.09 |
250 | ¥12.67728 | ¥3169.32 |
500 | ¥11.009218 | ¥5504.61 |
1000 | ¥9.341154 | ¥9341.15 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 67 mOhms, 67 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 8 ns
正向跨导(Min) 10 S, 10 S
上升时间 13 ns, 13 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns, 36 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJ963EP-T1_GE3
型号:SQJ963EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.646077 |
10+: | ¥17.68147 |
25+: | ¥16.680632 |
100+: | ¥13.010893 |
250+: | ¥12.67728 |
500+: | ¥11.009218 |
1000+: | ¥9.341154 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.65