货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥13.319794 | ¥13319.79 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB4N80E-GE3
型号:SIHB4N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥13.319794 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00