NTTS2P03R2G
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- 制造商编号：
- NTTS2P03R2G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.978132 | ￥7.98 |
| 25 | ￥6.581239 | ￥164.53 |
| 50 | ￥5.717182 | ￥285.86 |
| 100 | ￥5.141143 | ￥514.11 |
| 250 | ￥4.737916 | ￥1184.48 |
| 500 | ￥4.449896 | ￥2224.95 |
| 1000 | ￥4.147476 | ￥4147.48 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTTS2P03R2G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
85mOhm @ 2.48A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
500pF @ 24V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
600mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Micro8™
封装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
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注
NTTS2P03R2G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、NTTS2P03R2G
数据手册PDF。
NTTS2P03R2G
型号：NTTS2P03R2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.978132 |
| 25+： | ￥6.581239 |
| 50+： | ￥5.717182 |
| 100+： | ￥5.141143 |
| 250+： | ￥4.737916 |
| 500+： | ￥4.449896 |
| 1000+： | ￥4.147476 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.98