SIA519EDJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA519EDJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.185841 | ￥3557.52 |
| 6000 | ￥1.125522 | ￥6753.13 |
| 9000 | ￥1.045157 | ￥9406.41 |
| 30000 | ￥1.020983 | ￥30629.49 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 40 mOhms, 90 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV, 500 mV
栅极电荷 3.7 nC, 5.3 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 12 S, 7 S
上升时间 21 ns, 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 20 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA519EDJ-GE3
单位重量 28 mg
SIA519EDJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA519EDJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIA519EDJ-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA519EDJ-T1-GE3
型号：SIA519EDJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.185841 |
| 6000+： | ￥1.125522 |
| 9000+： | ￥1.045157 |
| 30000+： | ￥1.020983 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00