CSD87334Q3DT
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥16.899289 | ￥4224.82 |
| 500 | ￥14.786879 | ￥7393.44 |
| 1000 | ￥12.75418 | ￥12754.18 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 8.3 mOhms, 8.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 17 ns
正向跨导（Min） 62 S
上升时间 7 ns, 7 ns
典型关闭延迟时间 11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns, 4 ns
规格参数
开发套件 VSON
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 76 mg
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注
CSD87334Q3DT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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。
CSD87334Q3DT
型号：CSD87334Q3DT
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥16.899289 |
| 500+： | ￥14.786879 |
| 1000+： | ￥12.75418 |
货期：7-10天
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