货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.900367 | ¥7.90 |
10 | ¥6.770006 | ¥67.70 |
100 | ¥5.053804 | ¥505.38 |
500 | ¥3.970846 | ¥1985.42 |
1000 | ¥3.068381 | ¥3068.38 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 40 mOhms, 90 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV, 500 mV
栅极电荷 3.7 nC, 5.3 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 12 S, 7 S
上升时间 21 ns, 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 20 ns
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA519EDJ-GE3
单位重量 28 mg
购物车
0SIA519EDJ-T1-GE3
型号:SIA519EDJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.900367 |
10+: | ¥6.770006 |
100+: | ¥5.053804 |
500+: | ¥3.970846 |
1000+: | ¥3.068381 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.90