货期:(7~10天)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥13.387258 | ¥13387.26 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 8.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 190 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 29 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB80N06S2-09 SP001061716
单位重量 4 g
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0IPB80N06S209ATMA2
型号:IPB80N06S209ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥13.387258 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00