货期: 8周-10周
起订量:73
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
73 | ¥2.29825 | ¥167.77 |
100 | ¥1.869677 | ¥186.97 |
187 | ¥1.726819 | ¥322.92 |
375 | ¥1.571 | ¥589.13 |
750 | ¥1.38926 | ¥1041.94 |
3000 | ¥1.311352 | ¥3934.06 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMP2012SN-7
型号:DMP2012SN-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
73+: | ¥2.29825 |
100+: | ¥1.869677 |
187+: | ¥1.726819 |
375+: | ¥1.571 |
750+: | ¥1.38926 |
3000+: | ¥1.311352 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00