
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.382573 | ¥4147.72 |
| 6000 | ¥1.312304 | ¥7873.82 |
| 9000 | ¥1.218551 | ¥10966.96 |
| 30000 | ¥1.190456 | ¥35713.68 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 57.220 mg
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0RTR020N05HZGTL
型号:RTR020N05HZGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.382573 |
| 6000+: | ¥1.312304 |
| 9000+: | ¥1.218551 |
| 30000+: | ¥1.190456 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00