IPD180N10N3GATMA1
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- 制造商编号：
- IPD180N10N3GATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MV POWER MOS
- 渠道：
- digikey
库存 ：5000
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥7.114576 | ￥17786.44 |
| 5000 | ￥6.775827 | ￥33879.13 |
| 12500 | ￥6.46308 | ￥80788.50 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 43 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD180N10N3 G SP000900132
单位重量 330 mg
IPD180N10N3GATMA1 同类别型号
注
IPD180N10N3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD180N10N3GATMA1
数据手册PDF
。
IPD180N10N3GATMA1
型号：IPD180N10N3GATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：5000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥7.114576 |
| 5000+： | ￥6.775827 |
| 12500+： | ￥6.46308 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00