
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.091857 | ¥6.09 |
| 10 | ¥4.915987 | ¥49.16 |
| 100 | ¥3.350522 | ¥335.05 |
| 500 | ¥2.513245 | ¥1256.62 |
| 1000 | ¥1.885077 | ¥1885.08 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 17.2 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 152 ns
典型接通延迟时间 2 ns
高度 1 mm
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3053L-7
型号:DMN3053L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.091857 |
| 10+: | ¥4.915987 |
| 100+: | ¥3.350522 |
| 500+: | ¥2.513245 |
| 1000+: | ¥1.885077 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.09