
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.167665 | ¥11.17 |
| 10 | ¥8.674064 | ¥86.74 |
| 100 | ¥6.102442 | ¥610.24 |
| 500 | ¥4.477775 | ¥2238.89 |
| 1000 | ¥4.043461 | ¥4043.46 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 57.220 mg
购物车
0RTR020N05HZGTL
型号:RTR020N05HZGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.167665 |
| 10+: | ¥8.674064 |
| 100+: | ¥6.102442 |
| 500+: | ¥4.477775 |
| 1000+: | ¥4.043461 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.17