货期:(7~10天)
起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥0.875545 | ¥4.38 |
50 | ¥0.68509 | ¥34.25 |
150 | ¥0.650108 | ¥97.52 |
500 | ¥0.615127 | ¥307.56 |
2500 | ¥0.59958 | ¥1498.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 17.2 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 152 ns
典型接通延迟时间 2 ns
高度 1 mm
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3053L-7
型号:DMN3053L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
5+: | ¥0.875545 |
50+: | ¥0.68509 |
150+: | ¥0.650108 |
500+: | ¥0.615127 |
2500+: | ¥0.59958 |
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