货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.920898 | ¥15.92 |
10 | ¥14.290901 | ¥142.91 |
100 | ¥11.139575 | ¥1113.96 |
500 | ¥9.202026 | ¥4601.01 |
1000 | ¥7.264732 | ¥7264.73 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 43 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD180N10N3 G SP000900132
单位重量 330 mg
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0IPD180N10N3GATMA1
型号:IPD180N10N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.920898 |
10+: | ¥14.290901 |
100+: | ¥11.139575 |
500+: | ¥9.202026 |
1000+: | ¥7.264732 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.92