
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.744098 | ¥36.74 |
| 30 | ¥22.3853 | ¥671.56 |
| 120 | ¥19.073912 | ¥2288.87 |
| 510 | ¥18.229934 | ¥9297.27 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK20N60W,S1VF
型号:TK20N60W,S1VF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.744098 |
| 30+: | ¥22.3853 |
| 120+: | ¥19.073912 |
| 510+: | ¥18.229934 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.74