NVMFD5C650NLWFT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 111 A

漏源电阻 3.5 mOhms, 3.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 37 nC

耗散功率 125 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 13 ns, 13 ns

正向跨导（Min） 120 S, 120 S

上升时间 24 ns, 24 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 37 ns, 37 ns

典型接通延迟时间 13 ns, 13 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 161.193 mg