
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.377419 | ¥1132.26 |
| 6000 | ¥0.360857 | ¥2165.14 |
| 9000 | ¥0.312107 | ¥2808.96 |
| 30000 | ¥0.306254 | ¥9187.62 |
| 75000 | ¥0.253583 | ¥19018.72 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RU1C002UN
单位重量 6 mg
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0RU1C002UNTCL
型号:RU1C002UNTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.377419 |
| 6000+: | ¥0.360857 |
| 9000+: | ¥0.312107 |
| 30000+: | ¥0.306254 |
| 75000+: | ¥0.253583 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00