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IXTH102N20T

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXTH102N20T
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
渠道:
国内现货
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货期:国内(1~3工作日)

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整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 102 A

漏源电阻 23 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

耗散功率 750 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 25 ns

上升时间 26 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 50 ns

典型接通延迟时间 19 ns

外形参数

高度 21.46 mm

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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型号:IXTH102N20T

品牌:IXYS

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