
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.105155 | ¥5.11 |
| 10 | ¥3.559428 | ¥35.59 |
| 100 | ¥1.796732 | ¥179.67 |
| 500 | ¥1.46518 | ¥732.59 |
| 1000 | ¥1.087115 | ¥1087.12 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RU1C002UN
单位重量 6 mg
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0RU1C002UNTCL
型号:RU1C002UNTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.105155 |
| 10+: | ¥3.559428 |
| 100+: | ¥1.796732 |
| 500+: | ¥1.46518 |
| 1000+: | ¥1.087115 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.11