货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.476431 | ¥7.48 |
10 | ¥6.467114 | ¥64.67 |
100 | ¥4.474645 | ¥447.46 |
500 | ¥3.738466 | ¥1869.23 |
1000 | ¥3.181596 | ¥3181.60 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 1.6 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6K4
单位重量 7.500 mg
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0US6K4TR
型号:US6K4TR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.476431 |
10+: | ¥6.467114 |
100+: | ¥4.474645 |
500+: | ¥3.738466 |
1000+: | ¥3.181596 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.48