US6K4TR
库存 ：9307
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.626611 | ￥11.63 |
| 10 | ￥7.817366 | ￥78.17 |
| 100 | ￥5.35895 | ￥535.89 |
| 500 | ￥4.240653 | ￥2120.33 |
| 1000 | ￥3.872273 | ￥3872.27 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 1.6 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6K4
单位重量 7.500 mg
US6K4TR 同类别型号
注
US6K4TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、US6K4TR
数据手册PDF。
US6K4TR
型号：US6K4TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：9307 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.626611 |
| 10+： | ￥7.817366 |
| 100+： | ￥5.35895 |
| 500+： | ￥4.240653 |
| 1000+： | ￥3.872273 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.63