货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥38.396209 | ¥9599.05 |
500 | ¥34.452548 | ¥17226.27 |
1250 | ¥29.056417 | ¥36320.52 |
2500 | ¥27.603704 | ¥69009.26 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 680 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 137 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 149 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100.600 mg
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0CSD88584Q5DCT
型号:CSD88584Q5DCT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥38.396209 |
500+: | ¥34.452548 |
1250+: | ¥29.056417 |
2500+: | ¥27.603704 |
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