SIS776DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIS776DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥6.077691 | ￥18233.07 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIS776DN-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SkyFET®, TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.2mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1360pF @ 15V
FET 功能
Schottky Diode (Body)
功率耗散（最大值）
3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
SIS776DN-T1-GE3 同类别型号
注
SIS776DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
SIS776DN-T1-GE3
型号：SIS776DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥6.077691 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00