
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥48.195406 | ¥48.20 |
| 10 | ¥43.542652 | ¥435.43 |
| 100 | ¥36.048209 | ¥3604.82 |
| 500 | ¥31.390508 | ¥15695.25 |
| 1000 | ¥27.616313 | ¥27616.31 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 720 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 61 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 29 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 26 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH14N80P
型号:IXFH14N80P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥48.195406 |
| 10+: | ¥43.542652 |
| 100+: | ¥36.048209 |
| 500+: | ¥31.390508 |
| 1000+: | ¥27.616313 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥48.20