PHD63NQ03LT,118
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- 制造商编号：
- PHD63NQ03LT,118
- 制造商：
- NXP(恩智浦)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
- 渠道：
- digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
PHD63NQ03LT,118
制造商
NXP(恩智浦)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
68.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
13mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.6nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
920pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
111W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PHD63NQ03LT,118 同类别型号
注
PHD63NQ03LT,118品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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PHD63NQ03LT,118
型号：PHD63NQ03LT,118
品牌：NXP
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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