CSD88584Q5DCT
库存 ：3500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥55.030634 | ￥55.03 |
| 10 | ￥49.395112 | ￥493.95 |
| 100 | ￥40.470997 | ￥4047.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 680 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 137 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns
正向跨导（Min） 149 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100.600 mg
CSD88584Q5DCT 同类别型号
注
CSD88584Q5DCT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD88584Q5DCT
数据手册PDF
。
CSD88584Q5DCT
型号：CSD88584Q5DCT
品牌：TI
供货：锐单
库存：3500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥55.030634 |
| 10+： | ￥49.395112 |
| 100+： | ￥40.470997 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥55.03