
货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥3.297681 | ¥9893.04 |
| 6000 | ¥3.084885 | ¥18509.31 |
| 15000 | ¥2.872092 | ¥43081.38 |
| 30000 | ¥2.723207 | ¥81696.21 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 11 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.85 mm
长度 3 mm
宽度 2.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RQ1C065UN
单位重量 10 mg
购物车
0RQ1C065UNTR
型号:RQ1C065UNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥3.297681 |
| 6000+: | ¥3.084885 |
| 15000+: | ¥2.872092 |
| 30000+: | ¥2.723207 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00