CSD88599Q5DCT
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥20.325122 | ￥5081.28 |
| 500 | ￥19.129615 | ￥9564.81 |
| 1250 | ￥16.379749 | ￥20474.69 |
| 2500 | ￥15.423268 | ￥38558.17 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100.600 mg
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注
CSD88599Q5DCT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD88599Q5DCT
数据手册PDF
。
CSD88599Q5DCT
型号：CSD88599Q5DCT
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥20.325122 |
| 500+： | ￥19.129615 |
| 1250+： | ￥16.379749 |
| 2500+： | ￥15.423268 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00