搜索

RQ1C065UNTR

ROHM(罗姆)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
RQ1C065UNTR
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
渠道:
digikey

库存 :2955

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 9.314551 9.31
10 7.981853 79.82
100 5.957015 595.70
500 4.680778 2340.39
1000 3.616913 3616.91

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

产品 MOSFET

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 6.5 A

漏源电阻 58 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 300 mV

栅极电荷 11 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 25 ns

正向跨导(Min) 6 S

上升时间 30 ns

晶体管类型 1 N-channel

典型关闭延迟时间 70 ns

典型接通延迟时间 7 ns

外形参数

高度 0.85 mm

长度 3 mm

宽度 2.4 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Power MOSFET

零件号别名 RQ1C065UN

单位重量 10 mg

RQ1C065UNTR 相关产品

RQ1C065UNTR品牌厂家:ROHM ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购RQ1C065UNTR、查询RQ1C065UNTR代理商; RQ1C065UNTR价格批发咨询客服;这里拥有 RQ1C065UNTR中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到RQ1C065UNTR 替代型号 、RQ1C065UNTR 数据手册PDF

购物车

RQ1C065UNTR

锐单logo

型号:RQ1C065UNTR

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:2955 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥9.314551
10+: ¥7.981853
100+: ¥5.957015
500+: ¥4.680778
1000+: ¥3.616913

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥9.31