货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.314551 | ¥9.31 |
10 | ¥7.981853 | ¥79.82 |
100 | ¥5.957015 | ¥595.70 |
500 | ¥4.680778 | ¥2340.39 |
1000 | ¥3.616913 | ¥3616.91 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 11 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.85 mm
长度 3 mm
宽度 2.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RQ1C065UN
单位重量 10 mg
购物车
0RQ1C065UNTR
型号:RQ1C065UNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.314551 |
10+: | ¥7.981853 |
100+: | ¥5.957015 |
500+: | ¥4.680778 |
1000+: | ¥3.616913 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.31