QS6K1TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.454244 | ￥4362.73 |
| 6000 | ￥1.377733 | ￥8266.40 |
| 9000 | ￥1.27564 | ￥11480.76 |
| 30000 | ￥1.263024 | ￥37890.72 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 QS6K1
QS6K1TR 同类别型号
注
QS6K1TR
型号：QS6K1TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.454244 |
| 6000+： | ￥1.377733 |
| 9000+： | ￥1.27564 |
| 30000+： | ￥1.263024 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00