ALD1117SAL
库存 ：671
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥58.226821 | ￥58.23 |
| 10 | ￥52.290803 | ￥522.91 |
| 100 | ￥42.847007 | ￥4284.70 |
| 500 | ￥36.475491 | ￥18237.75 |
| 1000 | ￥30.762462 | ￥30762.46 |
| 2000 | ￥29.963437 | ￥59926.87 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 mA
漏源电阻 1.2 kOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
ALD1117SAL 同类别型号
注
ALD1117SAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD1117SAL
数据手册PDF。
ALD1117SAL
型号：ALD1117SAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：671 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥58.226821 |
| 10+： | ￥52.290803 |
| 100+： | ￥42.847007 |
| 500+： | ￥36.475491 |
| 1000+： | ￥30.762462 |
| 2000+： | ￥29.963437 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥58.23