货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.718598 | ¥2155.79 |
6000 | ¥0.688743 | ¥4132.46 |
9000 | ¥0.619869 | ¥5578.82 |
30000 | ¥0.610706 | ¥18321.18 |
75000 | ¥0.573977 | ¥43048.27 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 2 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 3.2 S
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0SI2308CDS-T1-GE3
型号:SI2308CDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.718598 |
6000+: | ¥0.688743 |
9000+: | ¥0.619869 |
30000+: | ¥0.610706 |
75000+: | ¥0.573977 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00