货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.858604 | ¥7.86 |
10 | ¥6.922506 | ¥69.23 |
100 | ¥5.311492 | ¥531.15 |
500 | ¥4.198576 | ¥2099.29 |
1000 | ¥3.35886 | ¥3358.86 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 QS6K1
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0QS6K1TR
型号:QS6K1TR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.858604 |
10+: | ¥6.922506 |
100+: | ¥5.311492 |
500+: | ¥4.198576 |
1000+: | ¥3.35886 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.86