ALD1106PBL
库存 ：415
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥82.756576 | ￥82.76 |
| 50 | ￥65.557168 | ￥3277.86 |
| 100 | ￥56.192213 | ￥5619.22 |
| 500 | ￥49.949077 | ￥24974.54 |
| 1000 | ￥42.768947 | ￥42768.95 |
| 2000 | ￥40.271419 | ￥80542.84 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.8 mA
漏源电阻 350 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
晶体管类型 4 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1.620 g
ALD1106PBL 同类别型号
注
ALD1106PBL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD1106PBL
数据手册PDF。
ALD1106PBL
型号：ALD1106PBL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：415 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥82.756576 |
| 50+： | ￥65.557168 |
| 100+： | ￥56.192213 |
| 500+： | ￥49.949077 |
| 1000+： | ￥42.768947 |
| 2000+： | ￥40.271419 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥82.76