ALD1105PBL
库存 ：288
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥94.886659 | ￥94.89 |
| 50 | ￥75.166239 | ￥3758.31 |
| 100 | ￥64.428612 | ￥6442.86 |
| 500 | ￥57.270386 | ￥28635.19 |
| 1000 | ￥49.037826 | ￥49037.83 |
| 2000 | ￥46.174221 | ￥92348.44 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.8 mA, 2 mA
漏源电阻 350 Ohms, 1.2 kOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1.620 g
ALD1105PBL 同类别型号
注
ALD1105PBL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD1105PBL
数据手册PDF。
ALD1105PBL
型号：ALD1105PBL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：288 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥94.886659 |
| 50+： | ￥75.166239 |
| 100+： | ￥64.428612 |
| 500+： | ￥57.270386 |
| 1000+： | ￥49.037826 |
| 2000+： | ￥46.174221 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥94.89