SI8461DB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8461DB-T2-E1
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.289916 | ￥15.29 |
| 10 | ￥11.360109 | ￥113.60 |
| 30 | ￥10.633591 | ￥319.01 |
| 100 | ￥9.923585 | ￥992.36 |
| 500 | ￥9.593349 | ￥4796.67 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI8461DB-T2-E1
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
24nC @ 8V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
610pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
4-Microfoot
封装/外壳
4-XFBGA, CSPBGA
SI8461DB-T2-E1 同类别型号
注
SI8461DB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
SI8461DB-T2-E1
型号：SI8461DB-T2-E1
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.289916 |
| 10+： | ￥11.360109 |
| 30+： | ￥10.633591 |
| 100+： | ￥9.923585 |
| 500+： | ￥9.593349 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.29