SI9933CDY-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI9933CDY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.350577 | ￥9.35 |
| 10 | ￥8.231341 | ￥82.31 |
| 100 | ￥6.308805 | ￥630.88 |
| 500 | ￥4.986973 | ￥2493.49 |
| 1000 | ￥3.989578 | ￥3989.58 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 17 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 21 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI9933CDY-GE3
单位重量 187 mg
SI9933CDY-T1-GE3 同类别型号
注
SI9933CDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI9933CDY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI9933CDY-T1-GE3
型号：SI9933CDY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.350577 |
| 10+： | ￥8.231341 |
| 100+： | ￥6.308805 |
| 500+： | ￥4.986973 |
| 1000+： | ￥3.989578 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.35