DMN2009LSS-13
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- 制造商编号：
- DMN2009LSS-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：44
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 44 | ￥1.81757 | ￥79.97 |
| 100 | ￥1.478696 | ￥147.87 |
| 156 | ￥1.365716 | ￥213.05 |
| 312 | ￥1.242514 | ￥387.66 |
| 625 | ￥1.098733 | ￥686.71 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMN2009LSS-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 12A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
58.3nC @ 10V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2555pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMN2009LSS-13 同类别型号
注
DMN2009LSS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
DMN2009LSS-13
型号：DMN2009LSS-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 44+： | ￥1.81757 |
| 100+： | ￥1.478696 |
| 156+： | ￥1.365716 |
| 312+： | ￥1.242514 |
| 625+： | ￥1.098733 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00