SI3900DV-T1-E3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI3900DV-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：7833
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.089 | ￥25.09 |
| 10 | ￥15.925396 | ￥159.25 |
| 100 | ￥10.642938 | ￥1064.29 |
| 500 | ￥8.378809 | ￥4189.40 |
| 1000 | ￥7.65031 | ￥7650.31 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 4 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3900DV-E3
单位重量 20 mg
SI3900DV-T1-E3 同类别型号
注
SI3900DV-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI3900DV-T1-E3、查询SI3900DV-T1-E3代理商；
SI3900DV-T1-E3价格批发咨询客服；这里拥有
SI3900DV-T1-E3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI3900DV-T1-E3
替代型号
、SI3900DV-T1-E3
数据手册PDF。
SI3900DV-T1-E3
型号：SI3900DV-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：7833 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.089 |
| 10+： | ￥15.925396 |
| 100+： | ￥10.642938 |
| 500+： | ￥8.378809 |
| 1000+： | ￥7.65031 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.09