NTHD3102CT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 5.5 A

漏源电阻 45 mOhms, 80 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV, 1.2 V

栅极电荷 7.9 nC, 8.9 nC

耗散功率 600 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 15.9 ns, 16.9 ns

正向跨导（Min） 7.7 S, 5.9 S

上升时间 15.9 ns, 16.9 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 16.4 ns, 15.7 ns

典型接通延迟时间 7.2 ns, 6.4 ns

高度 1.05 mm

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 85 mg